Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN

Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên pISSN 1859-1388 
Tập 130, Số 1A, 13–21, 2021 eISSN 2615-9678 
 SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON QUANG DỌC - PLASMON TRONG 
 CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN 
 Dương Đình Phước, Đinh Như Thảo* 
 Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 34 Lê Lợi, Huế, Việt Nam 
 * Tác giả liên hệ Đinh Như Thảo 
 (Ngày nhận bài: 25-07-2020; Ngày chấp nhận đăng: 01-08-2020) 
 Tóm tắt. Trong bài báo này, chúng tôi khảo sát sự tồn tại của các mode kết cặp phonon quang dọc (LO 
 phonon)-plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi sử dụng một 
 sóng hồng ngoại phân cực p chiếu xiên lên các lớp màng mỏng bán dẫn, từ đó chúng tôi quan sát thấy 
 sự xuất hiện của bốn cực tiểu phân biệt trong phổ truyền qua của vật liệu. Hai cực tiểu đầu tiên tương 
 ứng với các mode phonon quang ngang của hai bán dẫn thành phần InN và GaN, trong khi hai cực tiểu 
 còn lại là các mode kết cặp LO phonon-plasmon. Bên cạnh đó, chúng tôi đã lần đầu tiên đưa ra được 
 một phương trình dùng để tính số tần số của các mode kết cặp này. Ngoài ra, chúng tôi cũng khảo sát 
 chi tiết ảnh hưởng của mật độ electron lên các mode kết cặp LO phonon-plasmon. 
 Từ khóa: các mode kết cặp, phonon quang dọc, plasmon, lớp bán dẫn, InGaN 
 Coupling of longitudinal optical phonon-plasmon in InGaN 
 semiconductor layers 
 Duong Dinh Phuoc, Dinh Nhu Thao* 
 University of Education, Hue University, 34 Le Loi St., Hue, Vietnam 
 * Correspondence to Dinh Nhu Thao 
 (Received: 25 July 2020; Accepted: 01 August 2020) 
 Abstract. The existence of longitudinal optical (LO) phonon-plasmon coupled modes in InGaN 
 semiconductor layers is investigated by using the dielectric function theory. By using a p-polarized 
 infrared wave irradiating obliquely on thin semiconductor layers, we observe the appearance of four 
 distinct minima in the transmission spectrum of the material. The first two minima are given to the 
 transverse optical phonon modes of the two InN and GaN component semiconductors, while the 
 remaining two minima are attributed to the LO phonon-plasmon coupled modes. Besides, for the first 
 time, we have derived an equation for numerically calculating the frequencies of these coupled modes. 
 Besides, the effect of electron density on LO phonon-plasmon coupled modes is also examined in details. 
 Keywords: coupled mode, LO phonon, plasmon, semiconductor layer, InGaN 
DOI: 10.26459/hueunijns.v130i1A.5964 13 
 Dương Đình Phước và Đinh Như Thảo 
1 Giới thiệu phỏng Monte-Carlo cho các hệ vật liệu này thường 
 gặp nhiều khó khăn hơn. 
 Một trong những hiện tượng vật lý thu hút 
 Bán dẫn InGaN là vật liệu vùng cấm thẳng 
sự chú ý của các nhà nghiên cứu đó là hiện tượng 
 được chế tạo từ hỗn hợp của các thành phần InN 
kết cặp của phonon quang dọc (LO phonon) và 
 và GaN. Hàm lượng indium có thể được thay đổi 
plasmon trong các cấu trúc bán dẫn [1]. Hiện tượng 
 để tạo ra các hợp kim In Ga N có độ rộng khe 
này có thể dẫn đến sự phát xạ sóng Terahertz, một 1− 
 vùng tương ứng với bước sóng ánh sáng nằm trong 
bức xạ có nhiều tiềm năng ứng dụng trong việc 
 khoảng từ vùng hồng ngoại đến vùng tử ngoại. Hệ 
phát triển các bộ nhớ máy tính hay các thiết bị 
 vật liệu này thường được pha tạp loại n. Hợp kim 
truyền thông [2, 3]. Sự tồn tại và các đặc tính quang 
 In Ga N có nhiều đặc tính quang độc đáo, đặc 
của các mode kết cặp LO phonon-plasmon 1− 
 biệt là độ ổn định nhiệt cao [10]. Vì vậy, chúng có 
(LOPCM) phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác nhau 
 thể được ứng dụng trong các thiết bị bán dẫn mới 
như ảnh hưởng của điện trường ngoài, mật độ 
 như các thiết bị nhiệt điện hiệu suất cao, các thiết 
electron, kích thước cấu trúc hay cấu hình tạp chất 
 bị quang điện hay các đi-ốt phát quang [10-13]. Tuy 
của vật liệu [4]. Tuy nhiên, cho đến thời điểm hiện 
 nhiên, còn nhiều tính năng quan trọng của hệ vật 
tại vẫn chưa có các nghiên cứu đầy đủ về hành vi 
 liệu này vẫn chưa được khảo sát rõ ràng, chẳng hạn 
của các LOPCM trong các hệ vật liệu khác nhau. 
 như sự phát xạ Terahertz từ các tương tác kết cặp 
Gần đây, các nhà khoa học tiếp tục nghiên cứu các 
 của các mode LO phonon và plasmon. 
tương tác quang kết cặp của LO phonon và 
plasmon trong các vật liệu bán dẫn khối nhằm Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu sự 
khảo sát chi tiết các tính chất quang của chúng tồn tại của các mode kết cặp của LO phonon và 
cũng như tìm kiếm các nguồn phát xạ Terahertz ổn plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn InGaN 
định và dễ điều khiển [5]. bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi xác định 
 và phân tích phổ truyền qua của vật liệu để tìm 
 Hiện tượng kết cặp của LO phonon và 
 kiếm bằng chứng về sự tồn tại của các mode kết 
plasmon trong các hệ vật liệu bán dẫn đã được 
 cặp LO phonon-plasmon. Từ đó, chúng tôi đánh 
nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết bằng nhiều 
 giá ảnh hưởng của điện trường và các tham số của 
phương pháp khác nhau. Trong nghiên cứu thực 
 vật  ... t cặp LO phonon-plasmon. Các tham hiệu tồn tại của các mode kết cặp giữa LO phonon 
số của vật liệu được sử dụng trong tính toán được và plasmon. Điều này cho thấy rằng không tồn tại 
trình bày trong Bảng 1. các tương tác quang kết cặp giữa các dao động 
 phonon và plasmon trong trường hợp điện trường 
 Đầu tiên, chúng tôi khảo sát phổ truyền qua 
 phân cực s.
của lớp màng mỏng bán dẫn In0.7Ga0.3N có độ dày 
 Bảng 1. Các tham số của vật liệu bán dẫn InN, GaN và In0.7Ga0.3N [15, 16]. 
 Đại lượng InN GaN In . Ga . 퐍 Chú thích 
 0
 휔 (THz) 14,3 16,7 Tần số TO phonon của các bán dẫn thuần 
 0
 휔퐿 (THz) 17,8 22,2 Tần số LO phonon của các bán dẫn thuần 
 Tần số TO phonon của các bán dẫn thành phần 
 휔 (THz) 11,6 13,6 
 trong hợp kim 
 Tần số LO phonon của các bán dẫn thành phần 
 휔퐿 (THz) 15,7 17,4 
 trong hợp kim 
 휖∞ 8,4 5,4 7,5 Hằng số điện môi tần số cao 
 훤 0,3 0,3 Hệ số suy giảm phonon 
 훾 0,2 Hệ số suy giảm plasmon 
 Khối lượng hiệu dụng của electron 
 0,1 x -31
 푒 0 ( 0 = 9,1 x 10 kg là khối lượng của electron tự 
 do) 
 DOI: 10.26459/hueunijns.v130i1A.5964 17 
 Dương Đình Phước và Đinh Như Thảo 
 Tiếp theo, chúng tôi xác định và phân tích tần số 11,6, 13,6, 5,1 và 17,8 THz. Hai cực tiểu ứng 
phổ truyền qua của lớp màng mỏng bán dẫn như với các tần số 11,6 và 13,6 THz trùng với các mode 
 17 -3 TO phonon như đã đề cập ở trên, trong khi đó hai 
trên ( = 2 μm, 푒 = 5 × 10  cm ) nhưng trong 
trường hợp điện trường của sóng tới phân cực p cực tiểu tại các vị trí 5,1 và 17,8 THz được xác định 
với các góc chiếu khác nhau (Hình 3). Chúng tôi là hai mode kết cặp 휔− và 휔+ của LO phonon và 
thấy rằng, khi góc chiếu 휃 = 0° (đường chấm plasmon bởi vì chúng chỉ xuất hiện trong trường 
chấm), phổ truyền qua của vật liệu chỉ chứa hai cực hợp sóng tới chiếu xiên lên mẫu bán dẫn. Kết quả 
tiểu ứng với các mode TO phonon của hai bán dẫn này về mặt định tính tương đồng với kết quả của 
InN và GaN (Hình 2) và không tồn tại các mode kết Sciacca và cs. trong vật liệu ZnTe [7]. 
cặp LO phonon-plasmon. Ngược lại, khi góc chiếu Trong phần tiếp theo chúng tôi khảo sát chi 
휃 = 45° (đường đứt nét), 휃 = 60° (đường liền nét tiết ảnh hưởng của góc chiếu của sóng tới lên sự 
mảnh), 휃 = 70° (đường liền nét đậm), trong phổ tồn tại của các LOPCM. Hình 4 là phổ truyền qua 
truyền qua xuất hiện bốn cực tiểu phân biệt tại các 17 -3
 của mẫu bán dẫn ( = 2 μm, 푒 = 5 × 10  cm ) 
 trong trường hợp điện trường phân cực p ứng với 
 các góc chiếu khác nhau: 휃 = 60° (đường liền nét), 
 휃 = 70° (đường đứt nét), 휃 = 80° (đường chấm 
 chấm) và 휃 = 85° (đường chấm-gạch). Chúng tôi 
 thấy rằng với các góc chiếu 휃 = 70°, 휃 = 80° hoặc 
 휃 = 85° thì các cực tiểu ứng với các LOPCM xuất 
 hiện rõ ràng trong phổ truyền qua với độ sâu khá 
 lớn. Ngược lại, với góc chiếu 휃 = 60° thì độ sâu 
 của các cực tiểu này khá nhỏ. Với các góc chiếu có 
 giá trị nhỏ hơn nữa thì ta càng khó quan sát thậm 
 Hình 2. Phổ truyền qua của lớp màng mỏng bán dẫn 
 17-3 chí không thể tìm thấy các cực tiểu này trong phổ 
 InGaN0.70.3 ( d = 2 μm , Ne = 510cm ) trong 
 trường hợp điện trường của ánh sáng tới phân cực s truyền qua. Từ các kết quả thu được chúng tôi cho 
 với các góc chiếu khác nhau rằng sự tồn tại của các LOPCM chỉ được quan sát 
 thấy trong trường hợp sóng tới chiếu xiên lên các 
 Hình 3. Phổ truyền qua của lớp màng mỏng bán dẫn Hình 4. Phổ truyền qua của lớp màng mỏng bán 
 17 -3 17 -3
 ( , Ne = 5 10 cm ) trong dẫn ( , Ne = 5 10 cm ) 
 trường hợp điện trường của ánh sáng tới phân cực p trong trường hợp điện trường của sóng tới phân 
 với các góc chiếu khác nhau cực p với các góc chiếu  = 60°, 70°, 80° và 85° 
 18 
 Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên pISSN 1859-1388 
 Tập 130, Số 1A, 13–21, 2021 eISSN 2615-9678 
lớp màng mỏng và có điện trường phân cực p; góc dọc theo trục Oz được kích hoạt, khi đó trong phổ 
chiếu càng lớn thì ta càng quan sát được rõ ràng truyền qua xuất hiện hai mode kết cặp 휔+ và 휔− 
đầy đủ hai mode kết cặp, đặc biệt với các trường của LO phonon và plasmon. Khi góc chiếu càng lớn 
hợp 70° ≤ 휃 < 90°. (Hình 4) thì điện trường phân cực p càng song song 
 với trục Oz, nghĩa là hình chiếu của nó lên trục Oz 
 Các kết quả thu được ở trên có thể được giải 
 càng lớn, điện trường càng dễ kích hoạt dao động 
thích như sau. Dao động plasmon là dao động dọc 
 plasmon và ta càng quan sát rõ ràng hai mode kết 
và trong lý thuyết của chúng tôi, plasmon được giả 
 cặp. 
sử bị kích hoạt bởi điện trường nằm dọc theo trục 
Oz, khi hình chiếu của điện trường lên trục Oz Để nghiên cứu chi tiết hơn về sự tồn tại của 
nhận giá trị khác không thì dao động plasmon sẽ các mode kết cặp 휔− và 휔+, chúng tôi khảo sát 
được kích hoạt. Vì là dao động dọc nên plasmon ảnh hưởng của mật độ electron của các lớp bán dẫn 
không tương tác với các dao động ngang mà chỉ lên hành vi của chúng. Hình 5 biểu diễn phổ truyền 
tương tác với các dao động dọc khác là các dao qua của các lớp màng mỏng bán dẫn có cùng độ 
động có phương dao động trùng với phương dày = 2 μm với các mật độ electron khác nhau 
truyền sóng. Nếu lúc này trong hệ tồn tại mode LO Ne = 0.8 x 1018 cm-3, 1.1 x 1018 cm-3 và 1.5 x 1018 cm-3 
phonon kết hợp thì khi đó hai mode LO phonon và trong trường hợp điện trường sóng tới phân cực p 
plasmon sẽ tương tác với nhau tạo thành hai mode và góc chiếu 휃 = 82°. Chúng tôi thấy rằng khi mật 
kết cặp LO phonon-plasmon. Có một điều cần lưu độ electron tăng thì các mode kết cặp 휔− và 휔+ 
ý là sóng ánh sáng là sóng ngang, có vector điện đều dịch chuyển nhanh về vùng tần số cao hơn (từ 
trường và từ trường vuông góc với phương truyền 6,2 đến 7,9 THz đối với mode 휔− và từ 18,4 đến 
sóng. Trong trường hợp điện trường phân cực s thì 19,6 THz đối với mode 휔+), trong khi đó vị trí của 
điện trường được hướng song song với trục Ox và các mode TO phonon của hai bán dẫn InN và GaN 
vuông góc với mặt phẳng của tia tới (mặt phẳng không phụ thuộc vào mật độ electron. Sự phụ 
Oyz) nên hình chiếu của điện trường lên trục Oz 
luôn luôn bằng không dù góc chiếu của tia tới nhận 
bất kỳ giá trị nào (Hình 2). Hệ quả là trong trường 
hợp này ta không thể quan sát được dao động 
plasmon hay bất kỳ mode kết cặp LO phonon-
plasmon nào. Trong trường hợp điện trường phân 
cực p thì điện trường nằm trong mặt phẳng của tia 
tới nên hình chiếu của điện trường lên trục Oz có 
thể bằng không hoặc khác không tùy thuộc vào góc 
chiếu của tia tới. Ví dụ, khi góc chiếu 휃 = 0° (như 
trường hợp được mô tả bởi đường chấm chấm 
trong Hình 3), hình chiếu của điện trường lên trục Hình 5. Phổ truyền qua của các lớp bán dẫn có 
Oz bằng không nghĩa là không có điện trường để cùng độ dày d = 2 μm với các mật độ electron lần 
kích hoạt dao động plasmon, và phổ truyền qua lượt là 0.8 1018 cm -3 , 1.110cm 18-3 và
của vật liệu thực sự cho thấy không tồn tại các 1.510cm 18-3 trong trường hợp điện trường phân 
mode kết cặp LO phonon-plasmon. Ngược lại, khi cực p và góc chiếu  =82 
góc chiếu 휃 ≠ 0°, ví dụ 휃 = 70° (đường liền nét 
đậm trong Hình 3), hình chiếu của điện trường lên 
trục Oz khác không, nhờ vậy dao động plasmon 
 DOI: 10.26459/hueunijns.v130i1A.5964 19 
 Dương Đình Phước và Đinh Như Thảo 
thuộc rất nhạy của các LOPCM vào mật độ electron 
có thể được giải thích như sau. Theo phương trình 
(5) thì tần số plasma tăng khi mật độ electron tăng. 
Khi xảy ra hiện tượng kết cặp giữa LO phonon và 
plasmon thì trong hệ sẽ xuất hiện các mode kết cặp 
với tần số tỉ lệ thuận với tần số của plasmon, vì vậy 
mà chúng ta quan sát được sự dịch chuyển về tần 
số cao của các mode kết cặp 휔− và 휔+ khi tăng 
mật độ electron. Ngược lại, tần số phonon quang 
ngang của các bán dẫn InN và GaN trong hợp chất 
chỉ phụ thuộc vào hàm lượng của chúng trong bán Hình 6. Tần số của các mode kết cặp  và tần số 
dẫn hợp chất InGaN mà không phụ thuộc vào mật plasma như là hàm của mật độ electron Ne 
độ electron. Vì vậy, vị trí của các mode TO phonon 
trong phổ truyền qua không thay đổi theo mật độ 
 electron của các lớp bán dẫn càng lớn thì mode kết 
electron. 
 cặp 휔+ có xu hướng dần tiệm cận về tần số plasma 
 Để khẳng định các kết quả thu được ở trên, 
 trong khi mode 휔− tiệm cận về tần số TO phonon 
chúng tôi khảo sát phổ truyền qua của các lớp bán của bán dẫn InN. Kết quả cũng cho thấy các đường 
dẫn theo mật độ electron (Hình 6). Kết quả cho cong tán sắc của các mode kết cặp LO phonon-
thấy sự dịch chuyển về vùng tần số cao của các plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn 
mode kết cặp 휔± và dao động plasma khi mật độ 
 In0.7Ga0.3N có dạng tương tự các đường cong tán 
 18 -3
electron tăng từ 0.5 × 10  cm đến 2.5 × sắc của các mode kết cặp trong các bán dẫn khối. 
1018 cm-3. Đường liền nét đậm và đường liền nét 
mảnh tương ứng là các đồ thị biểu diễn sự biến 
 4 Kết luận 
thiên tần số của các mode kết cặp 휔+ và 휔− theo 
mật độ electron được vẽ từ nghiệm 휔± = ( 푒) Tóm lại, chúng tôi đã trình bày một nghiên 
của phương trình (11). Các chấm tròn lớn và các cứu về sự tồn tại của các mode kết cặp LO phonon-
chấm tròn nhỏ lần lượt là tần số của các mode kết plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn 
cặp 휔 và 휔 với các mật độ electron khác nhau 
 + − In0.7Ga0.3N bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng 
được xác định từ Hình 5. Đường đứt nét là đồ thị tôi giả sử các lớp bán dẫn được chiếu xạ một sóng 
biểu diễn tần số plasma theo mật độ electron được điện từ hồng ngoại có điện trường phân cực, từ đó 
vẽ từ phương trình (5). Đường chấm chấm là tần chúng tôi xác định sự phụ thuộc của hệ số truyền 
số TO phonon của bán dẫn InN. Trên các đồ thị qua của vật liệu vào tần số của ánh sáng. Kết quả 
chúng tôi thấy rằng các chấm tròn nhỏ đều nằm cho thấy rằng, khi điện trường của sóng tới phân 
trên đường liền nét mảnh và các chấm tròn lớn đều cực p và chiếu xiên góc lên các lớp bán dẫn thì trên 
nằm trên đường liền nét đậm, nghĩa là các giá trị phổ truyền qua xuất hiện bốn cực tiểu phân biệt, 
tần số 6,2, 7,1 và 7,9 THz của mode kết cặp 휔− và trong đó có hai cực tiểu tương ứng với các mode 
18,4, 18,8 và 19,6 THz của mode kết cặp 휔+ được TO phonon của hai bán dẫn thành phần InN và 
xác định trên Hình 4 chính là nghiệm của phương GaN, hai cực tiểu còn lại ứng với hai mode kết cặp 
trình (11). Điều này cho thấy rằng phương trình của LO phonon và plasmon. Tần số của các mode 
(11) xác định chính xác các giá trị của tần số của các kết cặp này phụ thuộc mạnh vào mật độ electron 
mode kết cặp 휔± trong các bán dẫn hợp chất ba của các lớp bán dẫn và dịch chuyển nhanh về giá 
thành phần như InGaN. Hơn nữa, khi mật độ trị tần số cao khi mật độ electron tăng lên. Hơn nữa, 
 20 
 Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên pISSN 1859-1388 
 Tập 130, Số 1A, 13–21, 2021 eISSN 2615-9678 
góc chiếu của sóng điện từ lên các lớp bán dẫn bằng Semiconductor Science and Technology. 2020;35(6): 
hoặc lớn hơn 70° là phù hợp để quan sát dấu hiệu 065007. 
của các mode kết cặp LO phonon-plasmon trong 6. Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M. Terahertz 
phổ truyền qua của các lớp màng mỏng bán dẫn. spectroscopy of dynamics of coupling between the 
 coherent longitudinal optical phonon and plasmon 
Kết quả cũng cho thấy các đường cong tán sắc của in the surge current of instantaneously 
các mode kết cặp LO phonon-plasmon trong các photogenerated carriers flowing through the i-GaAs 
 layer of an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure. 
lớp màng mỏng bán dẫn In0.7Ga0.3N có dạng 
 Journal of Applied Physics. 2011;110(1):013515. 
tương tự các đường cong tán sắc của các mode kết 
cặp trong các bán dẫn khối. Cũng cần phải nhấn 7. Sciacca MD, Mayur AJ, Oh E, Ramdas AK, 
 Rodriguez S, Furdyna JK, et al. Infrared observation 
mạnh rằng trong công trình này chúng tôi đã lần 
 of transverse and longitudinal polar optical modes 
đầu tiên đưa ra được một phương trình dùng để of semiconductor films: Normal and oblique 
tính số tần số của các mode kết cặp LO phonon- incidence. Physical Review B. 1995;51(12):7744-7752. 
plasmon cho hệ các hợp kim ba thành phần. 8. Thao DN, The NP. Effect of Longitudinal Optical 
 Phonon-Plasmon Coupling on the Transient Self-
 Lời cảm ơn Consistent Field in GaAs p-i-n Diodes. Journal of the 
 Physical Society of Japan. 2013;82(10):104701. 
 9. Thao DN. A study of the coupling between LO 
 Nghiên cứu này được tài trợ bởi Quỹ Phát 
 phonons and plasmons in InP p-i-n diodes. 
triển khoa học và công nghệ Quốc gia Superlattices and Microstructures. 2017;103:213-220. 
(NAFOSTED) trong đề tài mã số 103.01-2017.321. 
 10. Koch H, Bertram F, Pietzonka I, Ahl JP, Strassburg 
 Tài liệu tham khảo M, August O, et al. InGaN: Direct correlation of 
 nanoscopic morphology features with optical and 
 structural properties. Applied Physics Letters. 
 2014;105(7):072108. 
 1. Cuscó R, Amador ND, Hung PY, Loh WY, Droopad 
 R, Artús L. Raman scattering study of LO phonon- 11. Kucukgok B, Wu X, Wang X, Liu Z, Ferguson IT, Lu 
 plasmon coupled modes in p-type InGaAs. Journal N. The structural properties of InGaN alloys and the 
 of Alloys and Compounds. 2015;634:87-93. interdependence on the thermoelectric behavior. 
 AIP Advances. 2016;6(2):025305. 
 2. Reichel KS, Smith NL, Joshipura ID, Ma J, Shrestha 
 R, Mendis R, et al. Electrically reconfigurable 12. Zhang ZH, Tan ST, Kyaw Z, Ji Y, Liu W, Ju Z, 
 terahertz signal processing devices using liquid Hasanov N, Sun XW, Demir HV. InGaN/GaN light-
 metal components. Nature Communications. emitting diode with a polarization tunnel junction. 
 2018;9(1). Applied Physics Letters. 2013;102(19):193508. 
 3. Hasan M, Arezoomandan S, Condori H, Rodriguez 13. Baek SH, Lee HJ, Lee SN. High-performance fat-type 
 BS. Graphene terahertz devices for communications InGaN based light-emitting diodes with local 
 applications. Nano Communication Networks. breakdown conductive channel. Scientific Reports. 
 2016;10:68-78. 2019;9(1). 
 4. Ibáñez J, Tarhan E, Ramdas AK, Hernández S, Cuscó 14. Giehler M, JaHne E. Effect of Damping on the 
 R, Artús L, et al. Direct observation of LO phonon- Plasmon-Phonon Coupling in CdS and GaP. Phys. 
 plasmon coupled modes in the infrared Shysica status solidi (b). 1976;73(2):503-516. 
 transmission spectra of n-GaAs and n-InxGa1-xAs 15. Davydov VY, Emtsev VV, Goncharuk IN, Smirnov 
 epilayers. Physical Review B. 2004;69(7). AN, Petrikov VD, Mamutin VV, et al. Experimental 
 5. Takeuchi H, Nishimura T, Nakayama M. Terahertz and theoretical studies of phonons in hexagonal 
 electromagnetic waves radiated from coherent InN. Applied Physics Letters. 1999;75(21):3297-3299. 
 longitudinal optical (LO) phonons and LO-phonon 16. Karch K, Wagner JM, Bechstedt F. Ab initio study of 
 plasmon coupled modes in (001)-, (110)-, and (111)- structural, dielectric, and dynamical properties of 
 oriented semi-insulating GaAs single crystals. GaN. Physical Review B. 1998;57(12):7043-7049. 
 DOI: 10.26459/hueunijns.v130i1A.5964 21