Nghiên cứu hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ của bề dày lớp lithium khuếch tán trong đầu dò HPGE loại p

Tạp chí Khoa học và Công nghệ, Số 43A, 2020 
 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
 VÕ XUÂN ÂN 
 Trường Đại học Công nghiệp Tp. Hồ Chí Minh; 
 voxuanan@iuh.edu.vn 
Tóm tắt. Đầu dò germanium siêu tinh khiết (HPGe), giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng P, I và 
N làm việc ở chế độ phân cực nghịch, trong đó vùng I nhạy với các bức xạ ion hóa, đặc biệt là tia gamma 
và tia X. Trong quá trình hoạt động các nguyên tử lithium của lớp n+ (lớp lithium khuếch tán n+, vùng P) 
tiếp tục khuếch tán vào sâu bên trong tinh thể làm cho bề dày của lớp này tăng lên đáng kể, do đó, làm 
giảm hiệu suất ghi của đầu dò. Sự tăng bề dày lớp chết không những làm giảm thể tích vùng nhạy (hiệu 
ứng thể tích) mà còn làm tăng quãng đường tán xạ của tia gamma đi vào đầu dò (hiệu ứng cản xạ). Kết 
quả nghiên cứu trên đầu dò HPGe GC58 cho thấy rằng đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và 
hiệu ứng cản xạ vào sự giảm hiệu suất ghi của đầu dò lần lượt là 82% và 18%. 
 Từ khoá. Hiệu ứng thể tích, hiệu ứng cản xạ, đầu dò, lớp lithium khuếch tán, hiệu suất, MCNP5 
 A STUDY OF THE VOLUME AND RADIATION CONTRAST EFFECTS OF THE 
 DIFFUSED LITHIUM LAYER THICKNESS OF p-TYPE HPGe DETECTORS 
Abstract. The high purity germanium (HPGe) detector, like a giant semiconductor diode operated under 
reverse bias, has a P-I-N structure in which the intrinsic (I) region is sensitive to ionizing radiation, 
particularly X rays and gamma rays. In operation, the continuous diffusion of the lithium atoms inside the 
germanium crystal leads to that the diffused lithium layer thickness considerably increases and causes that 
the HPGe detector efficiency decreases. An increase of the diffused lithium layer thickness leads to not 
only reducing the sensitive volume (called the volume effect) but also increasing the interactive range of 
gamma rays (called the radiation contrast effect). The results showed that a contribution of the volume 
and radiation contrast effects on a decrease of the detector efficiency was 82% and 18%, respectively. 
Keywords. Volume effect, radiation contrast effect, detector, diffused lithium layer, efficiency, MCNP5 
1 MỞ ĐẦU 
Những năm gần đây đã có nhiều công trình nghiên cứu liên quan đến lớp lithium khuếch tán n+ của đầu 
dò HPGe như xác định tính đồng nhất của lớp n+ ở mặt trên đầu dò HPGe [1], đặc trưng tín hiệu do các 
điện tích tạo thành gần lớp n+ của đầu dò HPGe loại p [2], ảnh hưởng của bề dày lớp n+ lên hiệu suất ghi 
nhận của đầu dò HPGe [3]. Công trình [3] cho thấy rằng có sự khác biệt giữa hiệu suất tính toán bằng 
phương pháp Monte Carlo và hiệu suất đo đạc thực nghiệm. Kết quả nghiên cứu trước đây của chúng tôi 
cho thấy rằng bề dày lớp n+ tăng theo thời gian hoạt động, từ 0,35 mm năm 996 lên đến ,6 mm năm 
2005 [4]. Đây là nguyên nhân chính làm giảm hiệu suất ghi nhận của đầu dò. Tuy nhiên, ảnh hưởng của 
các hiệu ứng vật lý đóng góp do sự tăng bề dày lớp n+ chưa được nghiên cứu chi tiết. Thật vậy, khi bề dày 
lớp n+ tăng, thể tích vùng nhạy của đầu dò giảm và khả năng ghi nhận tia gamma giảm theo, gọi là hiệu 
ứng thể tích. Mặt khác, khi bề dày lớp n+ tăng thì số lượng tia gamma bị hấp thụ ở vùng này trước khi đi 
vào vùng nhạy của đầu dò tăng theo, gọi là hiệu ứng cản xạ. Do đó, trong công trình này, chúng tôi 
nghiên cứu sự đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ vào sự giảm hiệu suất ghi 
nhận của đầu dò do sự tăng bề dày lớp chết dựa vào thực nghiệm đo phổ gamma và tính toán bằng 
chương trình MCNP5. 
© 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 55 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
2 PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 
2.1 Chƣơng trình MCNP5 
Cho đến nay đã có nhiều chương trình máy tính đáng tin cậy áp dụng phương pháp Monte Carlo để 
nghiên cứu các tính chất đặc trưng của hệ phổ kế gamma như EGS [5], GEANT [6], GESPECOR [7], 
DETEFF [8], MCNP [9] ... Trong công trình này, chương trình máy tính MCNP phiên bản 5 (gọi tắt là 
MCNP5) được lựa chọn sử dụng để mô phỏng phổ gamma ghi nhận từ hệ phổ kế gamma phông thấp 
dùng đầu dò HPGe GC58. MCNP5 là chương trình máy tính đa mục đích được phát triển bởi nhóm X5, 
Phòng thí nghiệm Los Alamos, Hoa Kỳ, cho phép mô phỏng tương tác của electron, neutron, photon với 
vật chất bằng phương pháp Monte Carlo. Một trong những đặc tính ưu việt của MCNP5 là cho phép thiết 
kế những thí nghiệm mô phỏng mà trong thực tế rất khó hoặc không thể bố trí được. Trong đó, hệ phổ kế 
gamma được mô hình hoá thông qua việc mô tả các thông số liên quan như: kích thước hình học, thành 
phần vật liệu, năng lượng tia gamma trong một input chuẩn của MCNP5 và kết quả phổ gamma mô 
phỏng được xác định thông qua kết quả phân bố độ cao xung theo năng lượng được truy xuất bằng thẻ F8. 
Trên cơ sở phổ gamma mô phỏng này, hiệu suất tính toán của đầu dò đối với từng vạch  ...  nhân Thành phố Hồ Chí Minh được vẽ bằng chương trình MCNP5. 
 © 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
56 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
2.3 Đầu dò germanium siêu tinh khiết HPGe GC1518 
Đầu dò HPGe GC58 được chế tạo từ tinh thể Ge dạng hình trụ tròn có độ tinh khiết cao (< 09 cm-3), 
giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng P - I - N làm việc ở chế độ phân cực nghịch như minh họa ở 
Hình 2a. Vùng I (intrinsic) hay còn gọi là vùng nghèo hoặc vùng nhạy chiếm gần như toàn bộ thể tích của 
đầu dò, nhạy với bức xạ ion hóa, đặc biệt là tia X và tia gamma. Vùng N (negative) là phần thể tích ở mặt 
trên và mặt bên của tinh thể Ge được chế tạo bằng cách khuếch tán các nguyên tử lithium (Li) tạo thành 
lớp n+ với bề dày 0,35 mm. Vùng P (positive) là phần thể tích ở bề mặt hốc khoan bên trong tinh thể Ge 
được chế tạo bằng cách cấy các ion boron (B) tạo thành lớp p+ với bề dày 0,3 µm [10]. Khi tia gamma 
hoặc tia X xuyên qua đầu dò, các cặp hạt electron (e-) và lỗ trống (h+) được tạo thành trong vùng I sẽ được 
thu gom về các điện cực và tạo thành xung điện ở ngõ ra của đầu dò được minh họa ở Hình 2b. 
 n+ 
 n+, Vùng N Vùng I p+, Vùng P
 p+ 
 Lỗ trống, h+ 
 (+)- (-) 
 - + Electron, e- 
 - + 
 + 
 Ge loại p 
 - + 
 a) b) 
 Hình 2. Cấu trúc của đầu dò germanium siêu tinh khiết HPGe loại p điển hình giống như một diode gồm 3 vùng P - I 
 - N (a) và minh họa sự thu gom các điện tích e-, h+ về các điện cực (b). 
2.4 Bố trí thí nghiệm trong tính toán m phng 
Trong công trình này, việc sử dụng các nguồn phóng xạ và cách bố trí hình học đo tương tự như trong 
công trình [4], cụ thể như sau: có 4 nguồn phóng xạ với 6 vạch năng lượng gồm 22Na (511 keV và 1274 
keV), 137Cs (662 keV), 54Mn (834 keV) và 60Co (1173 keV và 1332 keV), đây là các nguồn phóng xạ 
chuẩn, kích thước nguồn không đáng kể so với khoảng cách nguồn - đầu dò và được xem như nguồn 
điểm; nguồn phóng xạ được bố trí dọc theo trục của đầu dò với khoảng cách nguồn - đầu dò là 15 cm. 
 Để nghiên cứu sự đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ vào sự giảm hiệu suất 
ghi nhận của đầu dò do sự tăng bề dày lớp lithium khuếch tán n+, input của chương trình MCNP5 được 
chuẩn bị với các thông số vật lý được thay đổi gồm bề dày và thành phần vật liệu lớp n+. Đối với bề dày 
lớp n+, có hai giá trị được lựa chọn để tính toán MCNP5 gồm 0,35 mm, đây là bề dày lớp lithium khuếch 
tán khi đầu dò mới đưa vào hoạt động và ,6 mm, đây là bề dày lớp lithium khuếch tán khi đầu dò đã 
đưa vào hoạt động sau 9 năm. Đối với thành phần vật liệu lớp n+, input của chương trình MCNP5 được 
chuẩn bị cho 2 trường hợp sau đây: 
 Trường hợp thứ nhất, input của chương trình MCNP5 được mô tả với thành phần vật liệu của lớp n+ 
như thực tế, đó là lớp lithium được khuếch tán vào mặt ngoài tinh thể germanium như trong Hình 3a. 
Trong trường hợp này đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ xảy ra đồng thời do 
sự tăng bề dày lớp n+, dẫn đến làm thu hẹp thể tích vùng I (vùng nhạy với các tia gamma hoặc tia X) và 
làm mở rộng vùng N (lớp lithium khuếch tán n+), có nghĩa là làm tăng khả năng cản xạ tia gamma hoặc 
tia X ở vùng này. 
 Trường hợp thứ hai, một input của chương trình MCNP5 tương tự như trường hợp thứ nhất được xây 
© 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 57 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
dựng, trong đó chỉ có thành phần vật liệu lớp lithium khuếch tán n+ được thay thế bằng chân không như 
trong Hình 3b. Trong trường hợp này thành phần vật liệu lớp n+ là chân không nên không xảy ra hiệu ứng 
cản xạ đối với tia gamma hoặc tia X và chỉ xảy ra hiệu ứng thể tích khi thể tích vùng I bị thu hẹp do sự 
tăng bề dày lớp n+. 
 Lớp lithium 
 khuếch tán, n+ 
 Lớp lithium khuếch 
 tán, n+ đƣợc thay 
 bằng chân khng 
 a) b) 
 Hình 3. Mặt cắt đứng của đầu dò HPGe GC58 với lớp lithium khuếch tán n+ như thực tế (a) và với lớp lithium 
 khuếch tán n+ được thay bằng chân không (b) được vẽ bằng chương trình MCNP5. 
3 KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 
Hiệu suất tính toán bằng chương trình MCNP5 cho 4 trường hợp bề dày lớp lithium khuếch tán 0,35 mm 
với thành phần vật liệu được mô tả như thực tế và ,6 mm với thành phần vật liệu được thay thế bằng 
chân không đối với 6 vạch năng lượng 5, 662, 834, 73, 274 và 332 keV được trình bày ở Bảng . 
 Bảng . Hiệu suất tính toán bằng chương trình MCNP5 và tỷ lệ đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và 
hiệu ứng cản xạ vào sự giảm hiệu suất ghi nhận của đầu dò do bề dày lớp lithium khuếch tán n+ tăng theo thời gian 
hoạt động. 
Năng 0,35 mm 1,16 mm Hiệu ứng thể tích và hiệu ứng Chỉ có hiệu ứng Chỉ có hiệu ứng 
lượng cản xạ đồng thời thể tích cản xạ 
tia 
gam
 Chân Chân Tỷ lệ eff
ma Ge Ge eff eff 0,35- Tỷ lệ 
 không không 0,35-1,16(1) 0,35-1,16(2) đóng 
 góp 1,16(3) đóng góp
(keV) 
 511+ 0,00 0,0015 0,00 0,0013 0,00
 0,00020 0,00016 81% 19% 
 ++ 151 4 132 8 004 
 662+ 0,00 0,0011 0,00 0,0010 0,00
 0,00015 0,00012 82% 18% 
 ++ 115 6 010 4 003 
 834+ 0,00 0,0009 0,00 0,0008 0,00
 0,00012 0,00010 82% 18% 
 ++ 090 1 079 1 002 
 1173 0,00 0,0006 0,00 0,0006 0,00
 0,00010 0,00008 84% 16% 
 +++ 068 9 058 1 002 
 1274 0,00 0,0006 0,00 0,0005 0,00
 0,00008 0,00006 81% 19% 
 +++ 061 2 053 5 002 
 1332 0,00 0,0005 0,00 0,0005 0,00
 0,00008 0,00007 84% 16% 
 +++ 058 9 051 2 001 
 Trung bình 82% 18% 
 Độ lệch chuẩn 2% 2% 
 © 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
58 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
 Trong đó, ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ được xác định theo độ giảm hiệu suất khi bề dày 
lớp lithium khuếch tán tăng từ 0,35 mm lên ,6 mm với thành phần vật liệu được mô tả như thực tế và được tính 
theo công thức (1): 
 eff0,35-1,16(1) = eff0,35; Ge - eff1,16; Ge (1) 
 Ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích được xác định theo độ giảm hiệu suất khi bề dày lớp lithium khuếch 
tán tăng từ 0,35 mm lên ,6 mm với thành phần vật liệu được thay thế bằng chân không và được tính 
theo công thức (2) sau đây: 
 eff0,35-1,16(2) = eff0,35; Chân không - eff1,16; Chân không (2) 
 Khi đó ảnh hưởng của hiệu ứng cản xạ được xác định bởi công thức (3): 
 eff0,35-1,16(3) = eff0,35-1,16(1) - eff0,35-1,16(2) (3) 
 Chẳng hạn, tại vạch năng lượng 662 keV, độ giảm hiệu suất do bề dày lớp lithium khuếch tán n+ với 
thành phần vật liệu được mô tả như thực tế tăng từ 0,35 mm lên ,6 mm là 0,0005, khi đó ảnh hưởng 
của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ xảy ra đồng thời; độ giảm hiệu suất do bề dày lớp lithium khuếch 
tán n+ với thành phần vật liệu được thay thế bằng chân không tăng từ 0,35 mm lên ,6 mm là 0,0002 
tương ứng với tỷ lệ đóng góp là 82%, khi đó chỉ có ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích xảy ra; độ giảm hiệu 
suất khi chỉ có ảnh hưởng của hiệu ứng cản xạ xảy ra là 0,00003 tương ứng với tỷ lệ đóng góp là 8%. 
Tính trung bình đối với 6 vạch năng lượng đã khảo sát ở trên, tỷ lệ đóng góp ảnh hưởng do hiệu ứng thể 
tích và hiệu ứng cản xạ lần lượt là 82% và 18% được trình bày ở dòng thứ 9 Bảng . Dễ thấy rằng, mức 
độ ảnh hưởng do hiệu ứng thể tích lớn gấp 4,5 lần so với hiệu ứng cản xạ. 
4 KẾT LUẬN 
Việc sử dụng chương trình MCNP5 đã cho phép thiết kế thí nghiệm thay thế thành phần vật liệu lớp 
lithium khuếch tán n+ bằng chân không để nghiên cứu sự đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và 
hiệu ứng cản xạ do sự tăng bề dày lớp n+, một công việc không thể thực hiện trong thực tế thí nghiệm. Kết 
quả nghiên cứu trên đầu dò HPGe GC58 đã chỉ ra rằng, khi tăng bề dày lớp n+, sự đóng góp ảnh hưởng 
vào sự giảm hiệu suất của hiệu ứng thể tích (82%) lớn hơn hiệu ứng cản xạ (18%). Điều này chứng tỏ 
hiệu suất ghi nhận của đầu dò phụ thuộc mạnh vào thể tích của nó. 
PHỤ LỤC 
Một input chuẩn của MCNP5: 
Problem - A study of the volume and radiation contrast effects of the diffused lithium layer thickness of 
p-type HPGe detectors 
c Cell cards 
1 6 -8.94 (-1 -23 21):(-1 -21 90) imp:p,e=1 $ loi Cu dan tin hieu 
2 1 -5.35 (-55 -64 22)#1#34 imp:p=1 imp:e=0 $ cell detector 
3 3 -0.00129 (1 -2 -22 21)#1#(-96 -22 21) imp:p,e=1 
4 2 -2.6989 (2 -87 -83 82):(2 -3 -84 83):(2 -87 -85 84) & 
:(2 -3 -86 85):(2 -87 -24 86):(2 -3 -82 21):((92 -3 -21 20)#(-95 -21 20)) & 
:(92 -93 -20 89):(91 -93 -89 88) imp:p,e=1 
5 3 -0.00129 (-4 -25 57):(87 -4 -57 86):(3 -4 -86 85):(87 -4 -85 84) & 
:(3 -4 -84 83):(87 -4 -83 82):(3 -4 -82 20):(-4 -20 16)#(-93 -20 88)#(-95 -20 90) imp:p,e=1 
6 2 -2.6989 (-5 -26 25):(4 -5 -25 16):(-5 -16 15) imp:p,e=1 
11 3 -0.00129((-13 -31 30):(-11 -30 26):(5 -9 -26 19))#45#46 imp:p,e=1 
12 6 -8.94 9 -10 -26 19 imp:p,e=1 
13 7 -0.88 (11 -12 -30 26):(10 -12 -26 19) imp:p,e=1 
14 8 -7.28 12 -13 -30 19 imp:p,e=1 
15 9 -11.34 (13 -14 -31 17):(5 -14 -17 16) imp:p,e=1 
16 3 -0.00129 (-13 -32 31):(13 -14 -34 31) imp:p,e=1 
17 8 -7.28 -13 -33 32 imp:p,e=1 
18 6 -8.94 -13 -34 33 imp:p,e=1 
19 10 -7.86 13 -14 -35 34 imp:p,e=1 
20 9 -11.34 (-14 -36 35):(-13 -35 34) imp:p,e=1 
© 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 59 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
21 10 -7.86 5 -14 -16 15 imp:p,e=1 
22 8 -7.28 5 -13 -18 17 imp:p,e=1 
23 6 -8.94 5 -13 -19 18 imp:p,e=1 
24 0 14:36:-15 imp:p,e=0 
34 15 -2.31 (1 -54 -23 22):(-54 -56 23) imp:p,e=1 $ dien cuc cay ion B 
35 17 -5.05 (-55 -24 64):(55 -2 -24 22) imp:p,e=1 $ dien cuc khuech tan Li 
36 18 -1.435 -87 -81 24 imp:p,e=1 $ cua so IR mylar 
45 11 -0.0899 -76 -79 78 imp:p,e=1 $ nguon Cs 
46 13 -1.15 (-77 -80 78)#45 imp:p,e=1 $ holder epoxy 
47 20 -1.11 -87 -57 81 imp:p,e=1 $ cua so IR kapton 
48 21 -2.2 (1 -92 -21 90):(-92 -90 89) imp:p,e=1 $ teflon 
49 3 -0.00129 -91 -89 88 imp:p,e=1 $ ranh khong khi cua coc Al 
50 3 -0.00129 -94 -22 90 imp:p,e=1 $ ranh khong khi cua vo boc PE 
51 4 -0.92 (94 -96 -22 21):(94 -95 -21 20):(94 -95 -20 90) imp:p,e=1 $ vo boc PE 
c Surface cards 
1 cz 0.35 
2 cz 2.7 
3 cz 2.776 
4 cz 3.66 
5 cz 3.81 
9 cz 7.35 
10 cz 7.95 
11 cz 9.45 
12 cz 14.2 
13 cz 15.0 
14 cz 25.0 
15 pz 0.0 
16 pz 1.6 
17 pz 10.0 
18 pz 10.8 
19 pz 11.6 
20 pz 19.742 
21 pz 20.062 
22 pz 20.815 
23 pz 22.515 
24 pz 24.015 
25 pz 24.55 
26 pz 24.7 
30 pz 35.8 
31 pz 43.6 
32 pz 44.1 
33 pz 44.5 
34 pz 44.6 
35 pz 46.2 
36 pz 54.2 
54 cz 0.3503 $ dien cuc khuech tan Li 
55 cz 2.584 $ dien cuc khuech tan Li 
56 pz 22.5153 $ dien cuc loi B 
57 pz 24.026 $ cua so IR 
64 pz 23.899 $ dien cuc cua so Li 
76 cz 0.05 $ hinh hoc nguon Cs 
77 cz 1.27 $ hinh hoc nguon Cs 
 © 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
60 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
78 pz 39.7 $ hinh hoc nguon Cs 
79 pz 39.8 $ hinh hoc nguon Cs 
80 pz 40.34 $ hinh hoc nguon Cs 
81 pz 24.016 $ split mylar and kapton 
82 pz 21.255 $ split the detector holder 
83 pz 22.115 $ split the detector holder 
84 pz 22.415 $ split the detector holder 
85 pz 23.275 $ split the detector holder 
86 pz 23.715 $ split the detector holder 
87 cz 2.97 $ split the detector holder 
88 pz 17.536 $ split the detector holder 
89 pz 18.696 $ split the detector holder 
90 pz 19.042 $ split the detector holder 
91 cz 0.13 $ split the detector holder 
92 cz 0.88 $ split the detector holder 
93 cz 1.546 $ split the detector holder 
94 c/z 0 -2.2 0.1 $ day dan in/out 
95 c/z 0 -2.2 0.2 $ day dan in/out 
96 c/z 0 -2.2 0.49 $ day dan in/out 
c Data cards 
mode p 
m1 32000 -1.0 $ Ge 
m2 13000 -1.0 $ Al 
m3 7000 -0.755 8000 -0.232 18000 -0.013 $ Atmosphere 
m4 1000 -0.14372 6000 -0.85628 $ Polyethylene 
m6 29000 -1.0 $ Cu 
m7 1000 -0.1549 6000 -0.8451 $ Paraffin C9H20 
m8 50000 -1.0 $ Sn 
m9 82000 -1.0 $ Pb 
m10 26000 -1.0 $ Fe 
m11 1000 -1.0 $ Cs 
m13 1000 -0.06 6000 -0.721 8000 -0.219 $ Epoxy 
m15 5000 -1.0 $ B 
m17 32000 -0.9999 3000 -0.0001 $ Ge Li - dien cuc khuech tan Li 
m18 1000 -0.053 6000 -0.526 8000 -0.421 $ Mylar C10H12O6 
m20 1000 -0.028 6000 -0.720 7000 -0.077 8000 -0.175 $ Kapton C22H10N2O4 
m21 6000 -0.24 9000 -0.76 $ Teflon (C2H4)n 
sdef cel=45 pos=0 0 0 axs=0 0 1 ext=d1 rad=d2 erg=0.66166 par=2 wgt=10 
ft8 geb 0.00071 0.00075 0.46493 
si1 h 39.7 39.8 
sp1 d -21 0 
si2 h 0.0 0.05 
sp2 -21 1 
f8:p 2 
e8 0 .0001 .005471 8190i 1.942341 
phys:p $ produce bremsstrahlung radiations 
phys:e 
cut:p 2j 0 0 $ because of taking a tally of pulse height distributions 
cut:e 
nps 1600000 
ctme 120 
© 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh 
 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY 61 
 LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
[1] Mikael Hult et al. (1981), Determination of homogeneity of the top surface deadlayer in an old HPGe detector, 
Applied Radiation and Isotopes, 147 182-188. 
[2] E. Aguayo et al. (2013), Characteristics of signals originating near the lithium-diffused n+ contact of high purity 
germanium p-type point contact detectors, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 701 176-185. 
[3] J. Ródenas et al. (2003), Analysis of the influence of germanium dead layer on detector calibration simulation for 
environmental radioactive samples using the Monte Carlo method, Nuclear Instruments and Methods in Physics 
Research A, 496 390-399. 
[4] N. Q. Huy et al. (2003), Study on the increase of inactive germanium layer in a high-purity germanium detector 
after a long time operation applying MCNP code, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 573 
384-388. 
[5] Canada National Research Council (2018), EGSnrc: software tool to model radiation transport, www.nrc-
cnrc.gc.ca. 
[6] J. Allison et al. (2016), Geant4 toolkit for the simulation of the passage of particles through matter, Nuclear 
Instruments and Methods in Physics Research A, 835 186-225. 
[7] O. Sima, D. Arnold, C. Dovlete (2001), GESPECOR: A versatile tool in gamma-ray spectrometry, Journal of 
Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 248 359-364. 
 [8] N. Cornejo Diaz, M. Jurad Vargas (2008), DETEFF: An improved Monte Carlo computer program for 
evaluatingthe efficiency in coaxial gamma-raydetectors, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 
586 204-210. 
[9] X-5 Monte Carlo Team (2003), MCNP - A General Purpose Monte Carlo N-Particle Transport Code, Version 5, 
Volume I: Overview and Theory, mcnp.lanl.gov/pdf_files/la-ur-03-1987.pdf. 
[10] Mirion Technologies (Canberra), Inc. (2019), Germanium Detectors - User's Manual, 
www.mirion.com/products/germanium-detectors. 
 Ngày nhận bài: 08/11/2019 
 Ngày chấp nhận đăng: 07/01/2020 
 © 2020 Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh